Комплексно леговані структури на основі A3B5

Диссертация

Автор: Круковський Семен Іванович

Тема: Комплексно леговані структури на основі A3B5

Тип работы: дис... д-ра техн. наук

Специальность: 05.27.06

Выходные данные: Л., 2006.

Объем: 281 стр.

Год: 2006

>> Заказать доставку <<

Похожие диссертации:

1. Модифікація дефектної структури напівпровідникових сполук A2B6 та A3B5 високочастотним електромагнітним випромінюванням

2. Особливості переносу заряду у низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3B5

3. Моделирование субмикронных компонентов интегральных схем на соединениях A3B5

4. Вплив структури контактів на характеристики приладів НВЧ та пристроїв на їхній основі

5. Инжекционно-термические и рекомбинационные процессы в многобарьерных A3B5 - полупроводниковых излучателях инфракрасного диапазона

6. Формування омічних контактів до напівпровідників A3B5 для НВЧ польових транзисторів із наднизьким рівнем шуму

7. Вплив молекулярної та надмолекулярної структури на фотохімічну модифікацію поліолефінів та сумішей на їх основі

8. Розробка нових матеріалів гетерогенної структури на основі епоксиполімерів і металовуглецевої композиції

9. Формування структури і електрофізичних властивостей плівок на основі V, Cr, Co і Ni при фазоутворенні та взаємній дифузії

10. Особливості електронної структури та властивості аморфних сплавів на основі перехідних металів