Формування омічних контактів до напівпровідників A3B5 для НВЧ польових транзисторів із наднизьким рівнем шуму

Диссертация

Автор: Іващук Анатолій Васильович

Тема: Формування омічних контактів до напівпровідників A3B5 для НВЧ польових транзисторів із наднизьким рівнем шуму

Тип работы: Дис... канд. техн. наук

Специальность: 05.27.01

Выходные данные: К., 2003.

Объем: 174 стр.

Год: 2003

>> Заказать доставку <<

Похожие диссертации:

1. Вплив активних обробок на процеси формування та властивості омічних та бар'єрних контактів до карбіду кремнію

2. Дослідження фотоелектричних властивостей арсенід- галлієвих польових транзисторів з бар'єром Шотткі та розробка оптоелектронних комутуючих пристроїв

3. Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників

4. Моделі МОН-транзисторів для схемотехнічного проектування субмікронних інтегральних схем

5. Комплексно леговані структури на основі A3B5

6. Моделирование субмикронных компонентов интегральных схем на соединениях A3B5

7. Особливості переносу заряду у низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3B5

8. Модифікація дефектної структури напівпровідникових сполук A2B6 та A3B5 високочастотним електромагнітним випромінюванням

9. Инжекционно-термические и рекомбинационные процессы в многобарьерных A3B5 - полупроводниковых излучателях инфракрасного диапазона

10. Лінійний ланцюжок джозефсонівських контактів у резонаторі поверхневої хвилі